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聚焦第三代半導(dǎo)體 | 國(guó)星光電參編發(fā)布兩本產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)并榮獲行業(yè)榮譽(yù)

2023-12-18 15:43

近日,國(guó)星光電作為A級(jí)單位參編發(fā)布的《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》在行家說(shuō)2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布,并在行家極光獎(jiǎng)頒獎(jiǎng)典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”。



探索實(shí)踐,深度參編白皮書(shū)


《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》兩本產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)圍繞全球碳化硅功率半導(dǎo)體及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r、關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展、國(guó)內(nèi)外各環(huán)節(jié)企業(yè)的區(qū)域分布,以及碳化硅和氮化鎵在各類(lèi)終端市場(chǎng)的應(yīng)用進(jìn)展等方面進(jìn)行詳細(xì)梳理,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供參考借鑒。



依托在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)探索和實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),國(guó)星光電在白皮書(shū)中詳細(xì)展示了公司最新的技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)品布局及創(chuàng)新應(yīng)用的解決方案,攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴,凝聚各環(huán)節(jié)智慧力量,針對(duì)性地提出助推我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新思路、策略及建議。


2023年,國(guó)星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力,產(chǎn)品矩陣日益豐富:


SiC應(yīng)用領(lǐng)域

國(guó)星光電已形成以TO封裝為主的SiC-SBD與SiC-MOS產(chǎn)品,相關(guān)產(chǎn)品已獲AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證,產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于黑白家電、移動(dòng)儲(chǔ)能逆變器、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。




GaN應(yīng)用領(lǐng)域

國(guó)星光電具備DFN與TO多種封裝形式,并結(jié)合應(yīng)用方案推出了控制+驅(qū)動(dòng)+GaN的集成化封裝器件,該器件可降低雜感,大幅簡(jiǎn)化外圍電路,可應(yīng)用于工業(yè)電源等領(lǐng)域。




持續(xù)豐富的應(yīng)用方案

基于第三代半導(dǎo)體,國(guó)星光電還推出了應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)的整體方案,其中快充墻插、60W/120W櫥柜燈驅(qū)動(dòng)電源、100W磁吸燈驅(qū)動(dòng)電源等產(chǎn)品已完成驗(yàn)證并出貨。




開(kāi)拓創(chuàng)新,深耕技術(shù)做優(yōu)產(chǎn)品


2023行家說(shuō)極光獎(jiǎng)“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”旨在表彰在SiC和GaN領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新、推廣應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等方面作出突出貢獻(xiàn)的企業(yè)和優(yōu)秀產(chǎn)品。斬獲該榮譽(yù)的是國(guó)星光電可應(yīng)用于新能源汽車(chē)的“內(nèi)絕緣分立器件技術(shù)方案及其產(chǎn)品”。



內(nèi)絕緣分立器件技術(shù)方案已實(shí)現(xiàn)了3大產(chǎn)品系列的的成果轉(zhuǎn)移,分別在TO-247 SiC系列、內(nèi)絕緣cascode GaN系列產(chǎn)品進(jìn)行了技術(shù)成果應(yīng)用。相關(guān)產(chǎn)品可提升終端應(yīng)用大功率器件的散熱能力,同時(shí)通過(guò)減少絕緣墊片的使用以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制程工藝,助力終端客戶實(shí)現(xiàn)降本增效。


當(dāng)前,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體在新一代顯示、5G移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域已呈現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,并逐漸成為人工智能、未來(lái)智聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展的核心關(guān)鍵元器件。作為L(zhǎng)ED封裝行業(yè)龍頭企業(yè),國(guó)星光電在封裝技術(shù)上具備先發(fā)優(yōu)勢(shì),同時(shí)可與上游子公司國(guó)星半導(dǎo)體、風(fēng)華芯電進(jìn)行高效協(xié)同,合力做強(qiáng)第三代化合物半導(dǎo)體及功率IC封測(cè)業(yè)務(wù),為加速國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程貢獻(xiàn)應(yīng)有力量。



撰稿:翁雯靜

編輯:翁雯靜

編審:李國(guó)華