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國星光電開發(fā)出Micro LED nStar Ⅱ,巨量轉(zhuǎn)移及鍵合良率達(dá)99.99%

2022-09-08 16:00

隨著5G時(shí)代超高清顯示新應(yīng)用日漸興起,Micro LED作為新一代主流顯示技術(shù)備受關(guān)注,該技術(shù)具有高分辨率、高亮度、高色彩飽和度、高可靠性、低功耗、低延時(shí)、窄邊框、壽命長等諸多優(yōu)勢,可廣泛用于大尺寸的超高清視頻墻和智慧屏、中小尺寸的車載屏和智能手表以及VR/AR等各種尺寸的電子消費(fèi)品領(lǐng)域,未來前景可期。


國星光電繼第一代玻璃基透明被動驅(qū)動Micro LED顯示模組——nStar Ⅰ之后,近日,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ?yàn)橐豢?.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏,像素間距300微米(P0.3),采用TFT驅(qū)動實(shí)現(xiàn)了8bit(256灰階)色深的顯示效果;基于自主搭建的Micro LED 技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺,同時(shí)突破了巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合雙重技術(shù)難題,其綜合良率提升至99.99%,相關(guān)技術(shù)成果未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用。


Micro LED Display:nStar Ⅱ

nStar Ⅱ玻璃基主動式驅(qū)動Micro LED顯示屏是通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將Micro LED微型芯片鍵合到玻璃基板上,利用TFT驅(qū)動實(shí)現(xiàn)高清畫面顯示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工藝迭代過程中,可在大面積上獲得超精細(xì)線路結(jié)構(gòu)的TFT玻璃基板是理想的技術(shù)選擇。主動式驅(qū)動TFT背板既能實(shí)現(xiàn)Micro LED模組像素獨(dú)立控制,避免驅(qū)動像素串?dāng)_,又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時(shí)大大降低功耗。

國星光電作為LED封裝技術(shù)的領(lǐng)跑者,自2018年國內(nèi)率先成立Mini & Micro LED研究中心后,2020年又成立了廣東省半導(dǎo)體微顯示重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,旨在加強(qiáng)與學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界協(xié)作,聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個(gè)環(huán)節(jié),集中優(yōu)勢資源攻克微顯示行業(yè)技術(shù)性難題,合力打破技術(shù)發(fā)展瓶頸,共同推進(jìn)Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。目前,公司已在巨量轉(zhuǎn)移、共晶鍵合、量子點(diǎn)全彩化、檢測修復(fù)、高可靠性封裝等Micro LED領(lǐng)域多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)上取得突破,Mini/Micro LED領(lǐng)域已申請發(fā)明專利100余件。接下來,國星光電布局深耕新型微顯示賽道,在玻璃基Micro LED技術(shù)路線方面,將重點(diǎn)布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表;在硅基Micro LED技術(shù)路線方面,重點(diǎn)布局AR顯示領(lǐng)域。


數(shù)字時(shí)代,顯示產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為升級信息消費(fèi)、壯大數(shù)字經(jīng)濟(jì)、發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基石。Mini/Micro LED的時(shí)代正在到來,國星光電將進(jìn)一步發(fā)揮LED垂直產(chǎn)業(yè)鏈資源整合優(yōu)勢,加速推動更全面、更廣泛的Mini/Micro LED商業(yè)化顯示應(yīng)用。